薄膜工艺和刻蚀哪个难,磁盘术语、常识

基于臭氧的氟化氢化学被提议在晶圆回收中取代传统的氟化氢/硝酸混合物用于多晶硅剥离。研究了臭氧化氢氟酸溶液的腐蚀特性。与hf/hno3类似,hf/o3被发现通过同时氧化和蚀刻工艺剥离多晶硅膜。剥离速率由氧化和蚀刻反应竞争中的速率限制步...

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