薄膜cvd是什么意思,pvd与cvd性能比较 -爱游戏平台

苗坤旺离型膜

原标题:cvd生长各种衬底的单层石墨烯连续薄膜(sio2/si/pet/石英/玻璃/蓝宝石基底)

cvd生长各种衬底的单层多层石墨烯连续薄膜(sio2/si/pet/石英/玻璃/硅片蓝宝石基底)

cvd石墨烯薄膜

cvd是指高温下的气相反应,例如,金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解,氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。这种技术是作为涂层的手段而开发的,但目前,不只应用于耐热物质的涂层,而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等,是一个颇具特征的技术领域。

其技术特征在于:(1)高熔点物质能够在低温下合成;(2)析出物质的形态在单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等多种;(3)不仅可以在基片上进行涂层,而且可以在粉体表面涂层,等。特别是在低温下可以合成高熔点物质,在节能方面做出了贡献,作为一种新技术是大有前途的。例如,在1000℃左右可以合成a-al2o3、sic,而且正向更低温度发展

cvd生长石墨烯主要包括两个路径,一个路径是“直接生长”,催化裂解出来的碳原子直接在催化剂表面成核、进而生长成石墨烯薄膜;

另一个路径则是“迂回生长”,催化裂解的表面碳原子渗透进入体相溶解后,再在表面析出,成核生长形成石墨烯薄膜。两个平行生长路径的贡献,取决于金属催化剂的溶碳能力、金属碳化物的生成及其在生长温度下的化学稳定性。

cvd法制备石墨烯的基本过程是:

把基底金属箔片放入炉中,通入氢气和氩气或者氮气保护加热至1000℃左右,稳定温度,保持20min左右;然后停止通入保护气体,改通入碳源(如甲烷)气体,大约30min,反应完成;切断电源,关闭甲烷气体,再通入保护气体排净甲烷气体,在保护气体的环境下直至管子冷却到室温,取出金属箔片,得到金属箔片上的石墨烯。下图为石墨烯的制备过程。

衬底是生长石墨烯的重要条件。目前发现的可以用作石墨烯制备的衬底金属有8~10个过渡金属(如fe,ru,co,rh,ir,ni,pd,pt,cu,au),和合金(如co-ni,au-ni,ni-mo,不锈钢)。过渡金属在石墨烯的cvd生长过程中既作为生长基底,也起催化作用。

西安齐岳生物可以提供以下二维纳米材料:石墨烯、石墨炔、拓扑绝缘体、过渡族金属硫化物(tmds)、过渡金属碳化物和氮化物(mxenes)、六角氮化硼(h-bn)、磷烯、锑烯、铋烯 智能黑磷水凝胶纳米医药载体、钙钛矿二维材料、二硫化钼(mos2)、二硫化钨(ws2)、黑磷纳米材料、max相陶瓷材料,c3n4纳米片、mxene、二维锗烯量子点、酞菁纳米片、卟啉纳米片。

产品列表:

cvd石墨烯薄膜

cvd铜基石墨烯薄膜

cvd生长硅片基底石墨烯薄膜

cvd生长玻璃基底石墨烯薄膜

cvd生长镍基石墨烯薄膜

cvd生长石英基底石墨烯薄膜

cvd生长 pet基底石墨烯薄膜

cvd生长sio2/si基底石墨烯薄膜

cvd蓝宝石基底石墨烯薄膜

cvd-石墨烯薄膜

cvd-石墨烯薄膜和石墨烯单晶:

cvd-单层bn薄膜

cvd-石墨烯薄膜和石墨烯单晶

cvd-单层铜基底石墨烯薄膜

cvd-单层铜基底石墨烯薄膜

cvd-双层铜基底石墨烯薄膜

cvd-铜基少层石墨烯薄膜碳化硅衬底外延石墨烯

铜支撑三维石墨烯

镍基石墨烯薄膜

单层石英/玻璃基衬底石墨烯薄膜

双层石英/玻璃基衬底石墨烯薄膜

单层pet透明衬底石墨烯薄膜

双层pet透明衬底石墨烯薄膜

多层pet透明衬底石墨烯薄膜

单层硅/氧化硅衬底石墨烯薄膜

双层硅/氧化硅衬底石墨烯薄膜

三维镍骨架多层石墨烯泡沫

三维去镍多层石墨烯泡沫

多种基底转移石墨烯

石墨烯 单层cvd石墨烯 (石英基底) 1cm*2cm

石墨烯 cvd铜基单层石墨烯(10cm*10cm)

石墨烯 cvd铜基单层石墨烯(10cm*20cm)

石墨烯 单层cvd石墨烯 (硅/二氧化硅基底) 1cm*2cm

石墨烯 单层cvd石墨烯 (硅/二氧化硅基底) 2cm*2cm

石墨烯 单层cvd石墨烯--pet基底1cm*1cm

石墨烯 单层cvd石墨烯--pet基底2cm*2cm

石墨烯 单层cvd石墨烯--si/sio2基底 (1cm*1cm)

石墨烯 单层cvd石墨烯--玻璃基底1cm*1cm

石墨烯 单层cvd石墨烯--玻璃基底1cm*2cm

石墨烯 单层cvd石墨烯--玻璃基底2cm*2cm

石墨烯 单层cvd石墨烯--蓝宝石基底1cm*1cm

石墨烯 单层cvd石墨烯--石英基底1cm*1cm

石墨烯 硅片基底石墨烯膜graphene on si (尺寸定制)

石墨烯 铜基单层石墨烯-5cm*10cm

石墨烯 铜基多层石墨烯 5cm*10cm

石墨烯 铜基多层石墨烯 10cm*20cm

石墨烯 铜基多层石墨烯10cm*10cm

石墨烯,镍基多层石墨烯薄膜 (5cm*10cm)

基于sio2/si晶片的双层cvd石墨烯薄膜

硅基底石墨烯薄膜(1*1cm)

pet基底石墨烯薄膜(1*1cm)

紫铜基石墨烯薄膜(1*1cm)

铜基石墨烯薄膜(10*10cm)

铜基石墨烯薄膜(5*5cm)

铜基多层石墨烯

石墨烯 铜基单层石墨烯-5cm*10cm

石墨烯 铜基多层石墨烯 5cm*10cm

石墨烯 铜基多层石墨烯10cm*10cm

石墨烯 自支撑三维石墨烯(已去镍)超轻 (1cm*1cm)

石墨烯线 镀石墨烯单晶铜线(每米)

镍基多层石墨烯

石墨烯,镍基多层石墨烯薄膜 (5cm*10cm)

石墨烯 泡沫镍三维石墨烯 cvd石墨烯 (5*10cm)

石墨烯 三维石墨烯 泡沫铜三维石墨烯5cm*10cm

石墨烯 自支撑三维石墨烯(已去镍)超轻 (1cm*1cm)

石墨烯薄膜:

单面生长铜基底石墨烯

“泡-取”式石墨烯

悬空自助转移单层石墨烯

石英基底石墨烯

pet基底石墨烯

蓝宝石基底石墨烯

镍泡沫基底石墨烯

自助转移镍泡沫石墨烯

铜基底石墨烯

氧化硅片基底石墨烯

石墨烯纳米银线复合柔性透明导电膜

cvd-二维类石墨烯产品

cvd-mos2 三角形单晶

cvd-ws2 三角形单晶

cvd-mose2 三角形单晶

cvd-wse2 三角形单晶

cvd-mos2 连续薄膜

cvd-多层氮化硼bn薄膜

cvd-单层氮化硼bn薄膜

cvd-mos2少层薄膜

mos2/ws2异质结

ws2/wse2异质结

mos2/wse2异质结

cvd-三维镍基氮化硼bn泡沫

cvd-三维氮化硼

bn泡沫m1相二氧化钒vo2单晶薄膜

三氧化二钒v2o3单晶薄膜

b相二氧化钒vo2单晶薄膜

cvd-sns2单层薄膜

cvd-res2单层薄膜

cvd-rese2单层薄膜

cvd-snse2单层薄膜

cvd-ws2单层薄膜

cvd-wse2单层薄膜

cvd-ptse2单层薄膜

cvd-mos2xse2(1-x)合金单晶

cvd-ws2-wse2面内异质结

cvd-少层氮化硼bn薄膜

硅基单层氮化硼bn薄膜

cvd-多层氮化硼bn薄膜

cvd-pds2薄膜

硅基氮化硼/石墨烯异质结

铜基单层氮化硼薄膜

sio2/si衬底单层氮化硼薄膜

一步转移法单层氮化硼薄膜

cvd-2h-mote2全覆盖连续薄膜

cvd-wse2 全覆盖连续薄膜

cvd-wse2 全覆盖连续薄膜

mbe-mose2三角形单晶

mbe-mos2三角形单晶

mbe-ws2三角形单晶

mbe-wse2三角形单晶

ald-gase薄膜样品

ald-gate薄膜样品

cvd-sb2te3 单层薄膜

cvd-mose2 单层薄膜

ald-gas薄膜样品

ald-vdw薄膜样品

cvd-pdse2薄膜

cvd-pds2薄膜

cvd-mose2多层薄膜

cvd-ws2多层薄膜

cvd-mos2多层薄膜转移的cvd类石墨烯

cvd-gase三角形晶体cvd-gase三角形单晶

石墨烯单晶

铜基5000um石墨烯单晶

铜基1cm石墨烯单晶

铜基100um石墨烯单晶

铜基200um石墨烯单晶

铜基500um石墨烯单晶

铜基1000um石墨烯单晶

铜基2000um石墨烯单晶

硅基100um石墨烯单晶

硅基200um石墨烯单晶

硅基500um石墨烯单晶

硅基1000um石墨烯单晶

硅基2000um石墨烯单晶

硅基2000um石墨烯单晶

二维材料薄膜:

bi2se3 硒化铋 孤立晶粒

bi2se3 硒化铋 蓝宝石基底cvd bi2se3连续膜

bi2te3 碲化铋(10mm*10mm)

cvd 二硒化钼:mose2

cvd 二硒化钨薄膜 : wse2 (孤立晶粒、单层/多层连续薄膜)

cvd二硫化钨薄膜:ws2

mote2 sio2/si基底二碲化钼

nite2 孤立晶粒 二碲化镍

res2 二硫化铼 蓝宝石基底二硫化铼(10mm*10mm)

rese2 二硒化铼 蓝宝石基底二硒化铼(10mm*10mm)

sns2 二硫化锡 蓝宝石基底二硫化锡(10mm*10mm)

snse2 二硒化锡 蓝宝石基底snse2薄膜(10mm*10mm)

ta2nis5 晶体

不同层数 蓝宝石基底二硒化铂 ptse2 (10mm*10mm)

碲化锑 cvd sb2te3薄膜

定制基底ptse2

二硫化钼薄膜: mos2

二硫化锡 sns2 孤立晶粒

二硒化钯 pdse2 sio2/si基底pdse2(10mm*10mm)

二硒化钯 pdse2 蓝宝石基底pdse2(10mm*10mm)

二硒化钯 pdse2 石英基底pdse2(10mm*10mm)

二硒化钯 pdse2 石英基底pdse2(10mm*10mm)

二硒化铂 ptse2 石英基底ptse2(10mm*10mm)

cvd tmdc 二维薄膜

二硒化铼 rese2薄膜

二硒化锡 snse2薄膜

碲化锑 sb2te3薄膜

碲化铋 bi2te3薄膜

硒化铋 bi2se3薄膜

二硫化锡 sns2薄膜

二硒化钼 mose2薄膜

二碲化钼 mote2薄膜

二碲化镍 nite2薄膜

二硫化铼 res2薄膜

二硫化钨 ws2薄膜

二硒化钨 wse2薄膜

二硒化钯 pdse2薄膜

二硫化钼 mos2 薄膜

二硒化铂 ptse2 薄膜

cvd单层二硫化钼

cvd单层二硫化铼

cvd单层二硒化铼

cvd单层三角形单晶

cvd,机械剥离-mos2、mose2、mote2、ws2、wse2、wte2黑磷单晶硅衬底蓝宝石衬底二维单晶

二维材料(mos2、mose2、mote2、ws2、wse2、wte2)

单层二硫化铼(10x10mm)连续薄膜-衬底可选

单层二硫化钨(10x10mm)连续薄膜-衬底可选

三角形单层二硒化钨(10*10mm)-衬底可选

基于石英基底的单层连续二硫化钼薄膜(10*10mm)

基于柔性pet基底的单层连续二硫化钼薄膜(10*10mm)

基于蓝宝石基底的单层连续二硫化钼薄膜(10*10mm)

基于二氧化硅基底的单层连续二硫化钼薄膜(10*10mm)

基于柔性pet基底的三角形单层二硫化钼(10*10mm)

基于蓝宝石基底的三角形单层二硫化钼(10*10mm)

基于二氧化硅基底的三角形单层二硫化钼(10*10mm)

monolayer wse2 triangles on c-cut sapphire

基于蓝宝石衬底的三角形单层二硫化钨

monolayer ws2 triangles on c-cut sapphire

基于二氧化硅衬底的三角形单层二硫化钼

monolayer mos2 triangles on sio2/si substrates

基于蓝宝石衬底的三角形单层二硫化钼

monolayer mos2 triangles on c-cut sapphire

基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的少层二硒化铂

full area coverage ptse2 layers on c-cut sapphire

基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的少层二硒化铂

full area cove

基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硒化钨

full area cove

cvd转移生长mx2单分子膜

exfoliated wse2 monolayer

机械剥离单层二硒化钨薄膜

exfoliated ws2 monolayer

机械剥离单层二硫化钨薄膜

exfoliated rese2 monolayer

机械剥离单层二硒化铼薄膜

exfoliated mose2 monolayer

机械剥离单层二硒化钼薄膜

exfoliated mos2 monolayer

机械剥离单层二硫化钼薄膜

大面积机械剥离单层材料(wse2, ws2, mos2, mose2)尺寸>100*100um

大面积机械剥离单层材料(wse2, ws2, mos2, mose2)尺寸>75*75um

大面积机械剥离单层材料(wse2, ws2, mos2, mose2)尺寸>50*50um

定制单层二硫化钼-带电极

基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硫化钨

full area coverage monolayer ws2 on c-cut sapphire

基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硒化锡

full area coverage monolayer snse2 on c-cut sapphire

基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硫化锡

full area coverage monolayer sns2 on c-cut sapphire

基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硒化铼

full area coverage monolayer rese2 on c-cut sapphire

基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硫化铼

full area coverage monolayer res2 on c-cut sapphire

基于二氧化硅衬底的全区域覆盖的单层二硫化钼

full area coverage monolayer mos2 on sio2/si

基于蓝宝石衬底的全区域覆盖的单层二硫化钼

full area coverage monolayer mos2 on c-cut sapphire

德国2dnext大面积机械剥离2l/3l材料(wse2, ws2, mos2, mose2)尺寸>100*100um

德国2dnext大面积机械剥离2l/3l材料(wse2, ws2, mos2, mose2)尺寸>75*75um

德国2dnext大面积机械剥离2l/3l材料(wse2, ws2, mos2, mose2)尺寸>50*50um

基于sio2/si晶片的双层cvd石墨烯薄膜(8片装)

基于sio2/si晶片的双层cvd石墨烯薄膜(4片装)

大面积机械剥离单层材料套装(wse2, ws2, mos2, mose2在同一基底上)尺寸>50*50um

defects engineered cvd grown 2d layers

cvd缺陷生长二维层

transferred cvd grown mx2 monolayers

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摄像头pvd和cvd薄膜

在fdp 的生产中,在制作无机薄膜时,可以采用的方法有两种:pvd 和cvd (将ve 和vs 归于pvd ,而ald 归于cvd)。 physical vapor deposition (pvd) physical vapor deposition (pvd)称为物理气象沉淀技术。该技术在真空条件下,通过先将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子、分子,或部分电离成离子,通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积,具有某种特殊功能的薄膜的技术。 pvd 沉积流程,可以粗略的被分为镀料的汽化、镀料的迁移和镀料的沉积三个部分。

pvd 沉积过程 根据工艺的不同,pvd 可以提进一步分为真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀膜、离子镀膜和分子束外延等。 真空蒸镀(vacuum evaporation) 真空蒸镀(vacuum evaporation),在真空条件下,使金属、金属合金或化合物蒸发,然后沉积在基体表面上的工艺。 全球最快血液检测技术,5分钟分选出癌细胞 比较常用的蒸发方法,电阻加热、高频感应加热或用电子柬、激光束以及离子束高能轰击镀料等。

ve 简要设备原理图 溅射镀膜(vacuum sputtering) 溅射镀膜(vacuum sputtering)基本原理是充氩(ar)气的真空条件下,使氩气进行辉光放电,这时氩(ar)原子电离成氩离子(ar ),氩离子在电场力的作用下,加速轰击以镀料制作的阴极靶材,靶材会被溅射出来,而沉积到工件表面。 根据采用电流的不同,该工艺可以进一步分为,采用直流辉光放电的直流(qc)溅射、采用射频(rf)辉光放电的射频溅射,以及磁控(m)辉光放电引起的称磁控溅射。 电弧等离子体镀膜 电弧等离子体镀膜基本原理,在真空条件下,用引弧针引弧,使真空金壁(阳极)和镀材(阴极)之间进行弧光放电,阴极表面快速移动着多个阴极弧斑,不断迅速蒸发,使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体,并能迅速将镀料沉积于基体。 因为有多弧斑,所以也称多弧蒸发离化过程。 离子镀 离子镀基本原理,在真空条件下,采用某种等离子体电离技术,使镀料原子部分电离成离子,同时,产生许多高能量的中性原子,在被镀基体上加负偏压。 这样在深度负偏压的作用下,离子沉积于基体表面形成薄膜。 pvd 技术不仅能用于金属膜和合金膜的沉积,还可以用于沉积化合物、陶瓷、半导体和聚合物膜等材料。 在显示屏生产中,真空蒸镀pvd 技术被用于,沉积活泼的金属电极,以及在用fmm 工艺的amoled 中沉积小分子的hil/htl/eml/etl/eil 等,而磁控溅射pvd 技术被用于,制备信号的al、cr、ta、mo 等金属上,以及像素电极的透明ito 上。 table1 磁控溅射与其他镀膜方式比较

胶原蛋白 chemical vapor evaporation (cvd) chemical vapor evaporation (cvd) 为化学气象沉积,指高温下的气相反应。 例如,金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解,氢还原,或使混合气体在高温下发生化学反应,析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。 该工艺主要是指在较高温度下的气相反应,广泛用于耐热物质图层、高纯度金属的制作和半导体薄膜制作中。 cvd 工艺主要包括五种基本的化学反应过程,如: ? 高温分解 ? 光分解 ? 还原反应 ? 氧化反应 ? 氧化还原反应 cvd 反应物质源,根据常态下相态的不同,进一步可以为: ? 气态物质源:在室温下呈气态的物质(h2、n2、ch4 和ar 等)。采用气态物质源时,只需要用流量计来控制反应气体的流量,而不要控制温度,大大简化了图层设备系统。 ? 液态物质源:在室温下成液态的反应物质,比如ticl4、ch3cn、sicl4和bcl3等。在采用液态物质源时,通过控制载气和加热温度,控制液态物质源进入沉积室的量。 驾驶梦想中的车 ? 固态物质源:在室温下为固态的物质,比如alcl、nbcl5、tacl5、 zrcl5 和hfcl4 等。该类物质需要在较高的温度下才能升华出需要的蒸汽量,在使用该类工艺时,需要对加热温度和在载气量进行严格控制。 table 2 可用cvd 成膜的材料和气体源

根据工艺温度、压力和原理的不同,cvd 又可以再进一步被细分为多个子项。因为在fdp 生产中玻璃耐温性有限,在display 生产中主要采取的是pecvd 工艺去制作含si 层,比如a-si、sio2 和sinx。 table 3 display 制造中几种cvd 技术的优缺点 plasma enhanced chemical vapor deposition pecvd (原理) 是借助微波,或射频等,含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。 为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,这种cvd 称为等离子体增强化学气相沉积(pecvd)。 在display 的制作中,pecvd 主要用于制作a-si 的成膜、栅极绝缘膜和保护膜。 pecvd 成膜机理 ? sinx 绝缘膜:通过sih4、n2 和nh3 混合气体作为反应气体,通过辉光放电生成等离子在衬底上成膜。 ? si:h:sih4 气体在反应腔体中通过辉光放电,经过一些列初级和次级反应,生成离子和子活性团等较为复杂的反应产物,最终生产a-si:h 薄膜沉积在基板上,直接参与成膜生长的是一些中性产物,比如sihn(n:0~3)。

在薄膜生长时,如果采取1 次成膜工艺,在薄膜生长过程中的缺陷会沿着成膜方向不断生长,从而暴露在表面。 因为低速成膜的缺陷比高速成膜缺陷少,为了在bottom gate 机构中得到致密的a-si:h 薄膜(假设2000 ?)可以通过先低速生长300?,再高速生长1700 ?,其中300 ?作为tft 沟道(部分由第一步产生的缺陷会被第二步覆盖掉)。两步成膜法亦可以用于绝缘层的制作。 table 4 几种pecvd 制备的薄膜 … table 5 tft-array 各层膜气体 … fig 4 akt 15k pecvd 设备简明图 … … atomic layer deposition (ald) ald (atomic layer deposition) 可以算为cvd 的一种,将气相前驱体脉冲交替地通入反应器,在沉积基底上化学吸附并反映,生产二元化合物薄膜的方法。 该过程与一般的cvd 过程类似,在ald 中原子层沉积的表面反应存在自限制性,即化学吸附自限制(cs)和顺次反应自限制(rs),新一层原子膜的化学反应,直接与之前一层相关联的,这种方式使每次反应只沉积一层原子。 除去自限制外,在ald制程中,需要在让母体材料,在反应到一定程度后分离,控制反应程度和最终成膜厚度。 在分离时,通过突然充入大量的分离气体(ar or n2),除去腔体中过量的反应母体和反应所产生的副产物。保证薄膜能有序,且定量地在基底上沉淀。 table 6 适用于ald 制作的薄膜 … 与其它无机成膜方式相比,ald 的优点是: ? 成膜均匀性好; ? 薄膜密度高 ? 台阶覆盖性好 ? 可以实现低温沉积(t: 50℃~500 ℃) 较低的沉积速率限制了其在工业流水线生产上广泛的运用。在display 生产中其可以用于沉积致密的al3o2 薄膜,并结合其它功能层实现对器件的封装。

pvd与cvd性能比较 cvd定义: 通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。 cvd技术特点: 具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点。 cvd方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜,例如掺杂或不掺杂的sio2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等。 影响台阶覆盖性的关键在于气相沉积技术的“绕镀性”。 气相沉积技术按照其原理可以分为化学气相沉积(cvd, chemical vapor deposition)和物理气相沉积(pvd, physical vapor deposition)。 cvd相对于pvd,有什么优点? 跟材料特性相关的性质——结晶性和理想配比都比较好 薄膜成分和膜厚容易控制 *淀积温度低 *台阶覆盖性好(step coverage) 化学气相淀积系统 气态源或液态源 气体输入管道 气体流量控制系统 反应室 基座加热及控制系统 温度控制及测量系统 减压系统(lpcvd和pecvd) cvd系统的分类 常压化学气相淀积(apcvd) 低压化学气相淀积(lpcvd) 等离子增强化学气相淀积(pecvd) 化学气相沉积(cvd) cvd 是利用等离子体激励、加热等方法,使反应物质在一定温度和气态条件下,发生化学反应并以生成的固态物质,沉积在适当位置的基体表面,进而制得的固态薄膜或涂层的工艺技术。 优点: cvd 可以在真空低的条件下沉积涂层,各种氮化物、碳化物、氧化物、硼化物、硅化物涂层的制备,可在低于其熔点,或分解温度的沉积温度下进行,设备简单,同一种膜的制备可选用不同的化学反应,灵活性比较大,即反应原料的成分,不仅可以调节和改变,又能控制涂层的特性和成分。因为绕镀性好,适合用于形状复杂的零件和沉积内壁、内孔等的镀膜。 缺点: 工艺温度高在应用上受到限制,针对局部表面沉积涂层时,没有 pvd 技术方便,沉积速率不是很高,比溅射镀膜还要低,镀膜后需真空热处理。制备的涂层表面粗糙,需要采取措施解决环境污染问题。 物理气相沉积(pvd) pvd 是一种利用溅射,或蒸发等之类的物理气相方法,在真空环境中的衬底上凝聚,形成涂层的过程。目前,pvd 的主要方法有溅射镀膜、真空蒸发镀膜、电弧、空心阴极、活性反应等离子体镀膜。 优点: pvd 技术制备出的薄膜具有硬度和强度高、热稳定性好、耐磨性好、化学性能稳定、摩擦系数低、组织结构致密等优点。与 cvd 相比低温沉积且薄膜内部的压应力状态,对硬质合金精密复杂刀具的涂层更为适合。pvd 工艺无污染,可实现绿色化制造。pvd 涂层技术,不仅广泛用于各种切削加工刀具、钻头等的涂层处理,而且,涂层成分也由单层涂层、多元涂层发展到多元复合涂层。 缺点: pvd 技术制备涂层薄膜要求基体的清洁度高,由于绕镀性差,使得覆盖台阶、复杂零件等的能力差,工艺重复性不好且加工成本高。 利用某种物理过程,例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移,即原子或分子由源转移到衬底表面上,并淀积成薄膜。 pvd基本方法 蒸发(ⅲ-ⅴ族化合物半导体) 溅射 蒸发 在真空系统中加热蒸发源,使原子获得足够的能量,可以脱离金属表面的束缚成为蒸汽原子,淀积在晶片上。 溅射 真空系统中充入惰性气体,在高压电场作用下,气体放电形成的离子被强电场加速,轰击靶材料,使靶原子逸出并被溅射到晶片上。 pvd的发展: 蒸发 蒸发优点: 较高的淀积速率 薄膜纯度高,厚度控制精确 生长机理简单 蒸发缺点: 台阶覆盖能力差 工艺重复性不好 淀积多元化合金薄膜时,组分难以控制 溅射 溅射优点: 淀积薄膜与衬底附着性好 淀积多元化合金薄膜时组分容易控制 较高的薄膜溅射质量 高纯靶材 高纯气体

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