厚薄膜的厚度,《炬丰科技-爱游戏平台

苗坤旺离型膜

镀膜是在表面镀上非常薄的透明薄膜,目的是希望减少光的反射,增加透光率,抗紫外线并抑制耀光、鬼影。镀膜膜厚单位一般使用微米(μm) 单位,其厚度非常小,传统方法根本无法精准测量,而在实际应用环节中镀膜的厚度又对产品质量有着极其重要的影响。因此,请大家来通过这篇文章来了解一下精质视觉的“光学干涉测厚仪”。

【产品简介】

精质视觉的光学干涉测厚仪是利用光学干涉法,发射一束白光至薄膜表面,通过检测反射光的干涉条纹,即可测量出薄膜的厚度。其可应用在以下场所:

测量光学镀膜、手机触摸屏ito等镀膜厚度、pet柔性涂布的胶厚等厚度、led镀膜厚度,建筑玻璃镀膜厚度及其它需要测量的镀膜涂层厚度的场合。

【产品类别】

精质视觉的光学干涉测厚仪分为以下两种:

简介

聚醚醚酮(英文poly-ether-ether-ketone,简称peek)是在主链结构中含有一个酮键和两个醚键的重复单元所构成的高聚物,属特种高分子材料。具有耐高温、自润滑性、耐化学药品腐蚀、耐辐照性、易加工、热膨胀系数小、尺寸稳定性好等物理化学性能,是一类半结晶高分子材料,熔点343℃,tg=143℃,其负载热变形温度高达315℃,瞬时使用温度可达300℃。

拉伸强度132~148mpa,密度1.265(非晶型)~1.320 (结晶型)g/cm3;可达到的最大结晶度为48%,通常为20~30%,冲击强度(缺口) 60~80j/m;断裂伸长率 ≥150%;吸水性 ≤0.1%;体积电阻率 1016ω·cm;弯曲强度 ≥140mpa;介电常数 3.2~3.3;拉伸强度 ≥93mpa;阻燃性(ul94) v-0,持续工作温度可达220℃,可用作耐高温结构材料和电绝缘材料,可与玻璃纤维或碳纤维复合制备增强材料。这种材料在航空航天领域、医疗器械领域(作为人工骨修复骨缺损)和工业领域有大量的应用,被称为塑料工业的金字塔尖。

薄膜关键特性

将超级工程塑料peek树脂通过热塑成型制造而成的peek薄膜,分为低结晶与高结晶两种类型,peek薄膜具有如下显著的特性:

n 机械特性:韧性和刚性兼备并取得平衡的塑料薄膜,特别是它对交变应力的优良耐疲劳是所有塑料中较出众的,可与合金材料媲美。

n 耐高温性:可耐受无铅焊接工艺的温度,薄膜厚度在25-155微米之间,无冲击机械应用rti等级为220℃,电气应用则为200℃,炭化点到500℃仍保持稳定。

n 自润滑性:在所有塑料薄膜中具有出众的滑动特性,适合于严格要求低摩擦系数和耐摩耗用途使用,特别是碳纤、石墨各占一定比例混合改性的peek薄膜自润滑性能更佳。

n 耐化学药品性(耐腐蚀性):具有优异的耐化学药品性.在通常的化学药品中,能溶解或者破坏它的只有浓硫酸,它的耐腐蚀性与镍钢相近。

n 阻燃性:非常稳定的聚合物,不加任何阻燃剂就可达到最高阻燃标准,无卤,符合iec 61249-2-21标准。

n 耐剥离性:耐剥离性很好,可制成包覆很薄的电磁线,并可在苛刻条件下使用。

n 耐疲劳性:在所有树脂薄膜中具有更好的耐疲劳性。

n 耐辐照性:耐高辐照的能力很强,超高辐照剂量下仍能保持良好的绝缘能力。

n 耐水解性:不受水和高压水蒸气的化学影响,用这种薄膜材料作成的制品在高温高压水中连续使用仍可保持优异特性。

n 溶融加工性:达到融点以上温度时与金属融合, 超声波封合容易(pet薄膜也可封合), 激光可溶接与印字。

n 声音清晰度高:避免金属膜嘈声所造成的“听觉疲劳”,实现更好的声学性能。

n 环保、安全:质量轻巧、可回收使用,符合rohs标准,可用于制造符合相同指令要求的产品,符合美国食品及药物管理局(fda)的要求。

n 厚度选择范围广:从厚度仅为3微米到150微米的薄膜均可生产。

产品型号与性能

图片来源:上海联净

※测试膜的厚度为50μm

应用领域

广泛应用于航空航天领域、汽车制造、工业领域、医疗器械、绝缘材料等领域:压敏胶带、压力传感器膜、印刷电路基板、声学扬声器膜、高温标签、电容器、高速电机中的垫圈、移动电话铰链中的复合垫圈、激光印字标贴、金属箔直接热粘合、柔性表面加热器、半导体工艺保护膜等相关行业。同时,热塑性薄膜可通过二次加工获得较理想的多用途性及灵活性,二次加工性能包括粘接性、表面处理、涂层、分切、冲压、热层压、热焊接与热密封、热成型、印刷与金属化处理。

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:有效释放低缺陷密度aln 蓝宝石模板的aln厚膜拉应力 编号:jfkj-21-1174 作者:华林科纳

如何利用高温(ht)金属有机化学气相沉积(mocvd)有效地释放氮化铝(aln)厚膜中的拉伸应力,允许低缺陷密度的铝/蓝宝石模板的生长。这种技术能够提高深紫外线发光二极管(duvled)的性能。 duvled在水/空气/表面灭菌、非视线通信、光电离和气体/dna传感方面具有广泛的应用潜力。由于缺乏大规模和低成本的天然aln衬底,现有的duvled主要是在aln/蓝宝石模板上制造的。然而,aln脱毛层和蓝宝石衬底会产生较高的线程位错密度(tdd)。因此,对tdd极其敏感的无铟duvled的光输出功率不足。 通过增加aln厚薄膜来降低aln/蓝宝石模板中的tdd,使位移能够爬上长距离进行相互湮灭。该技术的关键是通过引入高密度纳米孔,有效地释放aln厚薄膜中的拉伸应力。 aln薄膜的生长是由nauraitopsa230aln溅射系统中的2英寸(0001)蓝宝石衬底上的20纳米厚的aln缓冲液开始的。随后,利用aixtron折叠喷头(中国化学会)高温(ht)金属有机化学气相沉积(mocvd)系统,在溅射的aln/蓝宝石上制备了厚aln薄膜。随后的结构包括300nm厚的htaln-1层(1230°c)、350nm厚的中温(mt)aln层间(930°c)和4950nm厚的htaln-2层(1235°c)。aln薄膜的总厚度约为5.6μm。此外,还生长了一个5.6μm厚的无mt层间的aln薄膜以进行比较

原位曲率瞬变表明,在htaln-2生长过程中,有mt层的aln厚膜(图1(b))的曲率上升速度远小于没有mt层的aln厚膜(图1(a)),表明拉应力要弱得多。含mt层间的aln厚薄膜的极限拉伸应力强度为0.18gpa,与无mt层间相比降低了64%。 图2 (a)无mt夹层的aln厚膜和?有mt夹层的aln厚膜的照片。(b)无mt层的aln厚膜和(d)有mt层的aln厚膜的光学图像。无mt层间的aln厚薄膜的照片(图2)显示,无裂纹区域仅占晶片总面积的44%。开裂和剥落的可能性非常高。与之形成鲜明对比的是,带有mt夹层的aln厚薄膜呈镜状表面,除2mm边缘外,没有任何裂纹。一般来说,这种厚且无裂纹的aln只能通过外延横向过度生长(elog)技术来获得。它进一步证明了引入了mtaln夹层能有效减轻拉应力。

图3中的横断面扫描透射电子显微镜(stem)形态图像显示,引入mt层间可产生高密度(1.7x1010cm-2)纳米样,长40-700nm,宽10-90nm。这些纳米孔被认为通过减少接触面积,有效地破坏了mt层间和随后的脱毛层之间的相干性,从而显著降低了拉伸应力。 高分辨率x射线衍射(hr-xrd)测量结果表明,mt夹层aln薄膜的晶体质量也有显著提高。无mt层间的aln厚薄膜的(002)和(102)反射的fwhms分别为94弧秒和382弧秒。虽然具有mt层间的aln厚薄膜的(002)反射的fwhm略有增加到122弧秒,但(102)反射的fwhm显著降低到196弧秒。横截面stem结果表明,mt层间aln厚膜中的纳米空洞可导致位错终止,由于空洞的长宽比较大,在聚结边界处几乎没有产生新的位错。此外,在随后的生长过程中,样品b中很大一部分残留位错经历了90°的弯曲。最后,将带有mt夹层的aln厚膜的tdd值降低到极低的4.7x107cm-2。 这种技术为实现高性能的深紫外led和其他基于aln的光电/电子器件铺平了道路。

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